配资平台排行榜第一名光模块产能持续释放，下一个瓶颈轮到材料了？

文｜《科创板日报》配资平台排行榜第一名

随着AI数据中心建设浪潮持续推升光通信需求，以\"易中天\"为首的光通信产业链都交出了颇为亮眼的业绩。

同时，多家厂商也透露了扩产计划，例如中际旭创日前在业绩会上透露，公司的1.6T产品已经在量产出货，且预计会保持每个季度出货量环比提升；3.2T产能正在准备中，尚未到送样阶段。目前行业需求旺盛，公司唯有加大和加快产能建设来保障交付。目前部分原材料供给偏紧张。

天孚通信则在4月22日的业绩说明会上表示，公司的1.6T光引擎处于量产状态，目前因为个别物料缺料尚未达到预期产量，在积极协调供应商，努力争取更多交付。

技术升级迭代趋势与产业扩产潮势必将带动上游核心材料的需求。在研报中表明，在上游材料中看好磷化铟（InP）衬底与薄膜铌酸锂两个方向：

随着近年800G、1.6T光模块需求量快速提升，以及未来3.2T时代渐行渐近，看好光模块上游核心材料的发展机遇，其中InP衬底作为光芯片上游核心原材料，受益于光芯片厂商需求的快速拉动，行业呈现供不应求趋势；薄膜铌酸锂制备的调制器基于低功耗、高带宽等优势，未来有望于3.2T可插拔方案中迎来导入窗口期，产业链成长空间广阔。

值得注意的是，这也是深圳3月发布的《深圳市加快推进人工智能服务器产业链高质量发展行动计划（2026-2028年）》中，针对光模块特别提出的方向：推动光模块从800G向1.6T/3.2T代际升级，支持800G及以上光模块量产项目落地；推动高端薄膜铌酸锂、高端磷化铟等核心技术突破与规模化应用。

▌磷化铟：扩产周期长供需缺口持续扩大

随着高速光模块快速放量，供给端仍存在刚性约束，而磷化铟衬底便是材料环节供需紧张最为显著的部分之一。

磷化铟是光芯片中的核心材料，磷化铟衬底可用于制备CW、DFB、EML等边发射激光器芯片和PIN、APD探测器芯片。数据显示，2025年全年磷化铟衬底缺口超200万片，6英寸射频级价格涨至1.8万元/片。

而在光芯片BOM中，衬底占比较高。以新\"股王\"源杰科技招股书披露的数据为例，公司2022年1~6月的主要原材料采购中，衬底采购金额占比为27.21%，是BOM中最大的单一品类。

目前，全球磷化铟衬底供应商已相继开启加速扩产。其中，美国AXT今年2月透露，公司磷化铟衬底积压订单超6000万美元，创历史新高，且多个客户正与公司签署长协，AXT目标至2026年底将产能较2025年底提升一倍；Lumentum磷化铟晶圆厂产能已全部分配完毕，未来几个季度拟扩充约40%单元产能；国内云南鑫耀投资1.89亿元扩建年产30万片（折4英寸）高品质磷化铟单晶片生产线。

但券商指出，由于扩产周期长达2-3年，磷化铟供需缺口预计仍将持续。

华泰证券认为，展望未来，随着高速光模块市场规模近年来快速扩张，其在磷化铟下游市场中的比重有望进一步提升。且考虑到相较于此前主流应用于电信市场的DFB芯片等中低端产品，200G EML、超大功率CW光源（400mW，未来有望应用于CPO场景）等高端产品的生产难度更高、良率较低、芯片面积更大，所消耗的磷化铟衬底数量预计更多，或有望推动磷化铟衬底需求量呈现加速增长趋势。

▌薄膜铌酸锂：或成下一代高速光信号主流调制材料

随着AI芯片持续迭代升级，数据中心光模块已实现从400G、800G到1.6T的演进。LightCounting今年1月发布的数据显示，2026年全球以太网光模块市场规模有望达260.84亿美元，其中800G及1.6T光模块合计渗透率较2023年提升53.67个百分点。

在此趋势下，3.2T光模块或迎来加速导入，LightCounting预计2028年3.2T光模块市场规模有望达13.96亿美元，2031年有望提升至240亿美元。而3.2T光模块单通道调制速率需达到400G，华泰证券指出，薄膜铌酸锂迎来导入机遇。据其测算，2031年仅3.2T光模块带动的薄膜铌酸锂调制器市场空间有望近30亿元，对应2029~2031年CAGR达271%。

从性能上来说，依托铌酸锂材料本身的强线性电光效应（Pockels效应），薄膜铌酸锂能在低驱动电压下实现大带宽、高线性度（高保真）的光信号调制，这使其适用于中长距离和高带宽的光传输应用，如骨干网、城域网等高速数据链路。此外，薄膜铌酸锂具有高折射率对比和良好的光场约束，可实现更高集成度，改善器件尺寸和功耗。

中金公司也指出，在光调制器领域，薄膜铌酸锂相比磷化铟、硅基两类材料，在高带宽、低驱动电压和高线性度等方面具有优势。随着AI通信网络加速向单波400G及更高传输速率迈进，传统材料的性能局限性逐渐显现，薄膜铌酸锂有望成为支撑未来更高速光传输调制环节的重要材料。

薄膜铌酸锂的产业链可划分为铌酸锂晶体材料-薄膜铌酸锂晶圆-薄膜铌酸锂调制器（芯片），各环节均具备较高技术壁垒，我国厂商在以上各领域均已取得积极进展。

其中，光学级铌酸锂单晶的制取是产业链的最上游环节，此前该市场长期被日本厂商垄断，目前国内的天通股份、南智芯材等厂商已实现国产化突破；薄膜铌酸锂晶圆核心工艺是在硅材料的衬底上进行键合等，国内头部厂商包括济南晶正、上海新硅聚合等；薄膜铌酸锂调制芯片厂商则通过光刻、物理轰击刻蚀或化学机械抛光工艺，制备TFLN芯片，全球代表厂商包括江苏铌奥光电、Hyperlight等。

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